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口頭

Real-time observation of oxidation of Si(111)-7$$times$$7 surface at 300 K by using synchrotron radiation XPS, LEED and STM

吉越 章隆; 寺岡 有殿

no journal, , 

Si(111)-7$$times$$7表面の室温酸化を放射光XPS, LEED及びSTMによってリアルタイム観察し、Si$$^{4+}$$酸化状態と7$$times$$7構造の共存を観測したので報告する。

口頭

Chemical-state resolved depth-profiling using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy and the maximum entropy method

Harries, J.; 戸出 真由美; 角本 雄一; 井上 敬介; 吉越 章隆; 寺岡 有殿

no journal, , 

SPring-8, BL23SUの高分解能表面化学実験ステーションを利用して化学結合状態別、角度別光電子スペクトルの測定が可能。最大エントロピー法を用いるとスペクトルに含まれる深さ方向の分布情報を取り出すことができる。この二つの手法の組合せの進歩について発表する。例として、窒化したアルミ(111)表面のN-化学結合状態別深さ方向分布について議論する。

口頭

Strained Si atoms at SiO$$_{2}$$/Si interface during oxidation of Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layer on Si(001) surfaces

穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

no journal, , 

酸化誘起歪と酸化速度の関係を明らかにするために、Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$表面での酸化をリアルタイム放射光光電子分光で研究した。p型Si(001)表面を913Kで3.3$$times$$10$$^{-5}$$Paのエチレンに曝して炭化した。Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$表面を773Kで5.0$$times$$10$$^{-5}$$PaのO$$_{2}$$雰囲気で酸化した。酸素が飽和してからO$$_{2}$$圧力を1.3$$times$$10$$^{-3}$$Paに上げた。酸化の間、Si-2p, O-1s, C-1s光電子スペクトルを繰り返し測定した。C-1s/Si-2p(Si$$^{0}$$)比の時間発展からSiピークはバルクSiと歪Siから構成されていることがわかった。C-1s/Si-2p(Si$$^{0}$$)比の増加はSiO$$_{2}$$/Si界面に炭素原子が集中することを表している。O$$_{2}$$圧増加の後で、界面の酸化が進行する。その界面酸化速度は酸化とともに減少した。酸化誘起歪も界面酸化とともに減少した。これらの結果から、界面酸化速度は酸化誘起歪によって増速される。

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